产品名称：日本大塚——椭偏仪FE-5000S

光谱椭偏仪 FE-5000 / 5000S

除了可以进行高精度薄膜分析的光谱椭偏仪外，我们还通过实现测量角度的自动可变机构来支持所有类型的薄膜。除了传统的旋转光子探测器方法外，还通过为延迟板提供自动解吸机构提高了测量精度。

• 可在紫外-可见 (300-800 nm) 波长范围内测量 Ellipso 参数
• 能够分析纳米量级的多层薄膜的膜厚
• 可以通过400ch以上的多通道光谱快速测量椭圆光谱
• 支持通过可变反射角测量对薄膜进行详细分析
• 通过创建光学常数数据库并添加配方注册功能，提高了可操作性。

• 椭圆参数 (tanψ, cosΔ) 测量
• 光学定数 ( n ： 屈折率 , k ： 消衰係数 ) 解析
• 膜厚解析

• 半导体晶片
  栅氧化薄膜、氮化膜
  SiO ₂、Si x O y、SiN、SiON、SiN x、Al ₂ O ₃、SiN _x O _y、poly-Si、ZnSe、BPSG、TiN
  的光学常数（波长色散）抵抗
• 化合物半导体
  Al _x Ga _(1-x)作为多层膜、非晶硅
• FPD
  配向膜
• 各种新材料
  DLC（类金刚石碳）、超导用薄膜、磁头用薄膜
• 光学薄膜
  TiO₂，SiO₂，反射防止膜
• 
  g-line (436nm), h-line (405nm), i-line (365nm)等各波长的光刻场n、k评估

原　理

包括s波和p波的线偏振光入射到样品上，测量反射光的椭圆偏振光。s波和p波的相位和幅度独立变化，p波和s波反射率的比值tanψ和相位差Δ是两种偏振态视样品而定的转换参数，获得。

tanψ 和 consΔ 称为椭偏参数，光谱椭偏测量这两个参数的波长相关光谱。

* 1 可驱动导流板，可装卸对死区有效的相位差板。
* 2 因短轴和角度而异。
* 3 与微小斑点兼容（选项）
* 4 使用 VLSI 标准 SiO2 薄膜（100 nm）时的值。
* 5 这是选择自动阶段时的值。

测量示例

ITO（氧化铟锡）是用于液晶显示器的透明电极材料，由于成膜后的退火处理（热处理），其导电性和颜色得到改善。此时，氧态和结晶度也发生变化，但这种变化可能相对于薄膜的厚度呈阶梯式变化，不能视为具有光学均匀组成的单层薄膜。
对于这种 ITO，我们将介绍一个使用倾斜模型从上界面和下界面的 nk 测量倾斜度的示例。

如果样品表面有粗糙度，将表面粗糙度建模为“粗糙层”，其中大气（空气）和膜厚材料以 1:1 的比例混合，并分析粗糙度和膜厚。 . 在这里，我们描述了一个测量表面粗糙度为几纳米的 SiN（氮化硅）的例子。

有机EL材料易受氧气和水分的影响，在正常大气下可能会发生改变或损坏。因此，成膜后立即用玻璃密封。以下是在密封时通过玻璃测量薄膜厚度的示例。中间的玻璃和空气层采用非干涉层模型。

材料nk需要通过最小二乘法拟合来分析膜厚值(d)。如果 nk 未知，则将 d 和 nk 都解析为可变参数。然而，在d为100nm以下的超薄膜的情况下，d和nk不能分离，这可能会降低精度并且无法获得准确的d。在这种情况下，测量具有不同d的多个样品，并且假设nk相同，进行同时分析（多点分析）。这使得可以准确地获得nk和d。